Samsung makes world's first 900-layer storage chip
With its new prototype chip, the South Korean firm wants to showcase its technological prowess against SK Hynix and China's YMTC.
Samsung, the world’s largest memory chip maker, has reportedly created the world’s first 900-layer V-NAND flash storage chip prototype. At a time when AI growth is driving massive demand for DRAM and NAND flash memory, Samsung is once again trying to demonstrate its leadership in semiconductor memory technology.
According to a report from ETNews, Samsung has successfully developed the world’s first 900-layer-class V-NAND flash memory chip prototype.
https://www.sammobile.com/news/samsung-makes-world-first-900-layer-storage-chip-prototype
900단급 V-NAND 플래시 메모리 칩 프로토타입 개발 성공
한국의 이 회사는 새로운 시제품 칩을 통해 SK 하이닉스와 중국의 YMTC에 맞서 자사의 기술력을 과시하고자 합니다.
세계 최대 메모리 칩 제조업체인 삼성이 세계 최초로 900단 V-NAND 플래시 저장 칩 프로토타입을 개발했다고 합니다. 인공지능(AI)의 성장으로 DRAM과 NAND 플래시 메모리에 대한 수요가 급증하는 가운데, 삼성은 반도체 메모리 기술 분야에서의 선도적 지위를 다시 한번 입증하려 하고 있습니다.
삼성은 세계 최초로 900단급 V-NAND 플래시 메모리 칩 프로토타입 개발에 성공했습니다.
이 프로토타입은 450층 셀 웨이퍼 두 개를 하나의 칩으로 융합하는 셀 멀티 본딩(CMB) 기술을 사용하는 것으로 알려졌습니다. 여러 개의 NAND 플래시 레이어를 쌓으면 저장 밀도가 향상되는 동시에 전력 소비가 줄어듭니다. 이러한 고밀도 적층 구조는 인공지능 컴퓨팅 워크로드에 점점 더 유리한 것으로 여겨지고 있습니다.
SK하이닉스는 현재 321단 NAND 칩 으로 고층 NAND 스토리지 시장을 선도하는 기업으로 평가받고 있습니다 .
삼성은 2013년에 세계 최초로 3D V-NAND 플래시 칩을 상용화했습니다 . 이 회사는 초기에는 미세한 구멍을 뚫고 쌓아 올리는 단일 공정을 사용했습니다.
하지만 적층 높이가 증가함에 따라 삼성전자는 웨이퍼 휨 및 적층 정렬 불량과 같은 문제에 직면했다고 합니다. 보고서에 따르면 삼성전자는 첨단 상부 척 설계와 오버레이 보정 기술을 사용하여 이러한 문제를 해결했다고 합니다.
삼성은 비트라인(BL)과 워드라인(WL) 구조를 개선하여 전력 소비량과 칩 크기를 크게 줄인 것으로 알려졌습니다.
한편, 중국 기업 양쯔 메모리 테크놀로지(YMTC)는 낸드 플래시 시장에서 삼성과 SK하이닉스와의 격차를 빠르게 좁히고 있다. YMTC는 중국 정부의 상당한 투자와 반도체 제조 장비의 국산화 확대에 힘입어 이미 294단 낸드 칩의 양산에 돌입했습니다.
경쟁이 심화됨에 따라 삼성은 장기적인 기술 리더십을 유지하기 위해 900단 NAND 플래시 기술 개발을 가속화한 것으로 알려졌습니다.
https://www.sammobile.com/news/samsung-makes-world-first-900-layer-storage-chip-prototype
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